Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тук. Разбрах

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 531

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 534

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 537

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 540

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 544

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 548

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 552

Deprecated: Function split() is deprecated in /var/www/sites/asen/pcw/procedures/class.Add.php on line 367

Samsung отприщи масовото производство на 10-нанометрова DDR4 памет

Новата динамична памет поддържа скорост на трансфер на данни от 3200 (Mbps), което е с 30% по-бързо спрямо 2400Mbps на 20-нанометровата DDR4 DRAM памет. В същото време, новите модули от 10-нанометровия клас консумират между 10 и 20% по-малко енергия спрямо 20-нанометровите им еквиваленти.

07 април 2016
2889 прочитания
0 коментара
19 одобрения
1 неодобрение

DDR4 постепенно се превръща в най-произвеждания тип памет за персонални компютри в световен мащаб и последното технологично нововъведение на Samsung сигурно ще помогне за по-бързото преминаването към новите DDR4 продукти. А то се състои в старта на масовото производство на първите в индустрията 8GB DDR4 DRAM чипове и модули от 10-нанометров клас, за което съобщиха официално от производителя.

първите в индустрията 8GB DDR4 DRAM чипове и модули от 10-нанометров клас на Samsung

Samsung Electronics e първата компания, която въвежда в масово производство DRAM от 10-нанометров клас, като за целта е успяла да се справи с техническите предизвикателства свързани с намаляването на мащаба. Тези предизвикателства са преодолени посредством производствен процес с ArF (аргонов флуорид) литография, но без употребата на EUV (extreme ultraviolet), уточняват от компанията.

Прочетете още: Още 17% спад в цените на DDR4 паметите, разликата с DDR3 намалява

От гледна точка на потребителите важното е, че 8GB DDR4 DRAM паметта от 10-нанометровия клас на Samsung подобрява продуктивността на пластините на динамичната памет с 30% спрямо тази на 20-нанометровата 8Gb DDR4 DRAM памет. Според официалната информация, новата динамична памет поддържа скорост на трансфер на данни от 3200 (Mbps), което е с 30% по-бързо спрямо 2400Mbps на 20-нанометровата DDR4 DRAM памет. В същото време, новите модули от 10-нанометровия клас консумират между 10 и 20% по-малко енергия спрямо 20-нанометровите им еквиваленти. Естествено, това ще подобри ефективността на следващото поколение високопроизводителни компютърни системи (HPC), персонални компютри и сървъри.

първите в индустрията 8GB DDR4 DRAM чипове и модули от 10-нанометров клас на Samsung

На базата на напредъка си с новата DDR4 DRAM памет от 10-нанометровия клас, Samsung очаква да представи и 10-нанометрова DRAM за мобилни устройства с голям капацитет и висока скорост на трансфер на данни, информират още от южнокорейския производител. Samsung възнамерява да предложи широка гама 10-нанометрови DDR4 модули с капацитет от 4GB за мобилни компютри и до 128GB за сървъри. Всъщност компанията ще продължи да разширява портфолиото си както от 20-нанометрови DRAM решения, така и от 10-нанометровирешения през годината.

19 одобрения
1 неодобрение
Още от рубрика "Оперативна памет"
КОМЕНТАРИ ОТ  
КОМЕНТАРИ

Fatal error: Cannot redeclare class Admin in /var/www/sites/asen/COMMON/login/class.Admin.php on line 5