Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тук. Разбрах

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 531

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 534

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 537

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 540

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 544

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 548

Deprecated: Function eregi_replace() is deprecated in /var/www/sites/asen/COMMON/procedures/class.FunctionsCommon.php on line 552

Deprecated: Function split() is deprecated in /var/www/sites/asen/pcw/procedures/class.Add.php on line 367

В IBM откриха как да намалят размера на транзисторите до 1,8 nm

Изследователи от IBM предлагат решение, в което се използва нов начин за съединяване на свръхтънки метални проводници и въглеродни нанотръбички. Той позволява да се намали ширината на контактите, без да се увеличава електрическото съпротивление и ще направи възможно създаването на микроелементи с размер до 1,8 nm.

05 октомври 2015
8245 прочитания
0 коментара
30 одобрения
0 неодобрения

Всички виждаме как през последните десетилетия електронните джаджи стават все по-малки и по-малки, а днес в полупроводниковите чипове вече се побират милиарди транзистори. Разбира се, всяко нещо си има предел, включително и физическите възможности на силициевите транзистори. В полупроводниковата индустрия този предел дори си има име – той е известен като “red brick wall”. Преди няколко дена обаче изследователите на компанията IBM се похвалиха, че са намерили начин за преодоляването на тази “тухлена стена” и евентуално да заменят традиционните силициеви транзистори с такива, направени от въглеродни нанотръбички.

CNT

Технологията, за която иде реч, е разработена от група учени от изследователския център Томас Уотсън на IBM, а научната статия, посветена на този технологичен пробив, вече е публикувана в журнала Science. Материалите, разбира се, са наситени с доста техническа и научна терминология, но накратко става въпрос за следното:

Прочетете още: Първите 7nm чипове в индустрията са вече факт, обяви IBM

Основното предимство на предложеното от IBM решение е в използването на нов начин за съединяване на свръхтънки метални проводници и въглеродни нанотръбички, който позволява да се намали ширината на контактите, без да се увеличава електрическото съпротивление. Както знаете, именно съпротивлението, водещо до прегряване и електрическите утечки са главните проблеми пред по-нататъшното намаляване на силициевите микроелементи. Авторите на изобретението от IBM обаче твърдят, че тяхната разработка ще позволи да се създават микроелементи с размер до 1,8 nm, което ще обезпечи полупроводниковата индустрия за поне още четири поколения чипове занапред.

CNT transistor

Условна конструкция на транзистор от въглеродни нанотръбички (CNT)

Освен това специалистите са убедени, че още в началото на следващото десетилетие разработката на IBM ще позволи ширината на контактите между споменатите два материала да се намали до направо смайващите 40 атома. Три години след достигането на този рубеж пък изследователите се надават да постигнат и още по-впечатляващо нито от само 28 атома.

CNT transistor

Възможността за намаляване на електрическото съпротивление позволява не само да се обезпечи по-нататъшно намаляване на транзисторите и, съответно, на полупроводниковите чипове, но и да се излезе от застоя, в който индустрията се намира през последните десетина години. Разбира се, ще се увеличи и бързодействието на компютърните процесори.

В заключение остана да споменем също, че в публикациите относно разработката на IBM се разказва доста и за големите предимства на екзотичния и обещаващ, но с “труден характер“ материал, който се смята едва ли не за “Светия Граал” на полупроводниковата индустрия. Както сигурно се сещате, става въпрос за графена. Именно от него са направени еднослойните въглеродни нанотръбички, които представляват огънат  “лист” от въглерод с дебелина един атом. Интересно е да се отбележи също, че за първи път за възможно създаване на транзистори от такива въглеродни нанотръбички IBM спомена още през 2002 г.

CNT

30 одобрения
0 неодобрения
Още от рубрика "Наука"
КОМЕНТАРИ ОТ  
КОМЕНТАРИ

Fatal error: Cannot redeclare class Admin in /var/www/sites/asen/COMMON/login/class.Admin.php on line 5